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반도체 소자 — 기계 및 기후적 시험방법 — 제4부: 가습 가열, 평형 상태,가속 스트레스 시험
| 분야 | 전기전자(C) > 반도체·디스플레이 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 적용 범위 | 이 규격은 습한 환경에서 비밀봉성 패키지된 반도체 소자들의 신뢰성을 평가하기 위한 목 적으로 가속 온 도 및 습도 스트레스 시험(HAST)을 제공하는 것이다. | ||||||||
| 표준명(영어) | Semiconductor devices — Mechanical and climatic test methods — Part 4: Damp heat, steady state,highly accelerated stress test(HAST) | ||||||||
| 국제표준분류(ICS)코드 |
31.080.01 : 반도체 장치 일반 |
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| 국제표준 부합화 |
IEC 60749-4:2017(IDT) ※ IDT:일치, MOD:수정, NEQ:일치하지 않음 |
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| 고시기관(고시번호) | 국가기술표준원 (제2020-0142호) | ||||||||
| 고시사유 | 국제표준(ISO, IEC, ITU) 개정내용 반영 | ||||||||
| KS심사기준 |
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| 페이지수 | 11 | ||||||||
| 표준번호 | 표준명 | 고시일 | 상태 | 고시사유 | 비고 |
|---|---|---|---|---|---|
KS C IEC 60749-4  |
반도체 소자 — 기계 및 기후적 시험방법 — 제4부: 가습 가열, 평형 상태,가속 스트레스 시험 | 2020-07-23 | 개정(표준) | 국제표준(ISO, IEC, ITU) 개정내용 반영 | |
| KS C IEC 60749-4(2019 확인) |
개별반도체소자 - 기계 및 기후적 시험방법 - 제4부 : 가습가열, 평행상태, 가속스트레스 시험 | 2019-12-31 | 확인(구판) | 5년도래 확인표준 | |
| KS C IEC 60749-4(2013 확인) |
개별반도체소자 - 기계 및 기후적 시험방법 - 제4부 : 가습가열, 평행상태, 가속스트레스 시험 | 2013-12-31 | 확인(구판) | ||
| KS C IEC 60749-4(2008 확인) |
개별반도체소자 - 기계 및 기후적 시험방법 - 제4부 : 가습가열, 평행상태, 가속스트레스 시험 | 2008-11-28 | 확인(구판) | ||
| KS C IEC 60749-4 |
반도체 소자－기계 및 기후적 환경 시험 방법－제4부：가습 가열, 평형 상태, 가속 스트레스 시험 | 2003-03-25 | 제정(구판) | ||
확인 및 폐지 고시된 표준에 대해서는 마지막 제정 또는 개정 표준을 구입하시면 됩니다. |
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| No. | 표준번호 | 표준명 | 고시일 | 언어 | 제공형태 | 판매가격 | |
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