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반도체 소자－개별 소자－제4－1부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터－마이크로파 전계 효과 트랜지스터－개별 규격 지침
| 분야 | 전기전자(C) > 반도체·디스플레이 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 적용 범위 | 마이크로파 다이오드와 트랜지스터 중에서 마이크로파 전계 효과 트랜지스터에 관한 표준을 제공한다. 전자 부품에 대한 IEC 품질 인증 제도는 IEC의 허가하에 IEC 부속 문서와 일치하게 운영되고 있다. 이 제도의 목적은 한 참가국에 의해 출하된 전자 부품이 별도의 시험을 거치지 않고 모든 참가국에서 인정될 수 있는 품질 인증 절차를 규정하기 위함이다. 이 개별 규격 지침은 반도체 소자에 관한 일련의 개별 규격 지침 중 하나로, 다음의 IEC 규격과 병용해야 한다. | ||||||||
| 표준명(영어) | Semiconductor devices－Discrete devices－Part 4－1：Microwave diodes and transistors－Microwave field effect transistors－Blank detail specification | ||||||||
| 국제표준분류(ICS)코드 |
31.080.30 : 트랜지스터 |
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| 국제표준 부합화 |
IEC 60747-4-1:2000(IDT) ※ IDT:일치, MOD:수정, NEQ:일치하지 않음 |
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| 고시기관(고시번호) | 국가기술표준원 (제2020-0116호) | ||||||||
| 고시사유 | 부합화 국제표준이 폐지되었음 | ||||||||
| KS심사기준 |
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| 페이지수 | 11 | ||||||||
| 표준번호 | 표준명 | 고시일 | 상태 | 고시사유 | 비고 |
|---|---|---|---|---|---|
KS C IEC 60747-4-1  |
반도체 소자－개별 소자－제4－1부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터－마이크로파 전계 효과 트랜지스터－개별 규격 지침 | 2020-06-23 | 폐지(폐지) | 부합화 국제표준이 폐지되었음 | |
| KS C IEC 60747-4-1(2017 확인) |
반도체 소자－개별 소자－제4－1부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터－마이크로파 전계 효과 트랜지스터－개별 규격 지침 | 2017-11-29 | 확인(구판) | 5년도래 확인표준 | |
| KS C IEC 60747-4-1(2012 확인) |
반도체소자 - 개별소자 - 제4-1부: 마이크로파 다이오드 및 트랜지스터 - 마이크로파 FET - 개별규격지침 | 2012-12-31 | 확인(구판) | ||
| KS C IEC 60747-4-1(2007 확인) |
반도체소자 - 개별소자 - 제4-1부: 마이크로파 다이오드 및 트랜지스터 - 마이크로파 FET - 개별규격지침 | 2007-08-31 | 확인(구판) | ||
| KS C IEC 60747-4-1 |
반도체 소자－개별 소자－제4－1부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터－마이크로파 전계 효과 트랜지스터－개별 규격 지침 | 2002-12-31 | 제정(구판) | ||
확인 및 폐지 고시된 표준에 대해서는 마지막 제정 또는 개정 표준을 구입하시면 됩니다. |
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| No. | 표준번호 | 표준명 | 고시일 | 언어 | 제공형태 | 판매가격 | |
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| 검색된 결과가 없습니다. | |||||||
인용표준 2종 이상 선택 시 20% 할인 |
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