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반도체 소자－개별 소자－제4부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터
| 분야 | 전기전자(C) > 반도체·디스플레이 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 적용 범위 | 이 표준은 개별 소자에 관한 다음과 같은 범주에 관한 요구사항을 제공한다. 가변 커패시턴스 다이오드 및 스냅오프 다이오드(동조, 업컨버터 또는 고조파 증배, 스위칭, 리미팅, 위상 편이, 파라메트릭 증폭용)? 믹서 다이오드 및 검출 다이오드? 애벌란시 다이오드(직접 고조파 발생, 증폭용)? 건 다이오드(직접 고조파 발생용)? 바이폴러 트랜지스터(증폭, 발진용)? 전계 효과 트랜지스터(증폭, 발진용)? | ||||||||
| 표준명(영어) | Semiconductor devices－Discrete devices－Part 4：Microwave diodes and transistors | ||||||||
| 국제표준분류(ICS)코드 |
31.080.10 : 다이오우드 31.080.30 : 트랜지스터 |
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| 국제표준 부합화 |
IEC 60747-4:2007(IDT) ※ IDT:일치, MOD:수정, NEQ:일치하지 않음 |
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| 고시기관(고시번호) | 국가기술표준원 (제2017-0146 호) | ||||||||
| 고시사유 | 국제표준(ISO, IEC, ITU) 개정내용 반영 | ||||||||
| KS심사기준 |
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| 페이지수 | 129 | ||||||||
| 표준번호 | 표준명 | 고시일 | 상태 | 고시사유 | 비고 |
|---|---|---|---|---|---|
KS C IEC 60747-4  |
반도체 소자 — 개별 소자 — 제4부: 마이크로파 다이오드 및 트랜지스터 | 2022-12-08 | 개정(표준) | 국제표준(ISO, IEC, ITU) 개정내용 반영 | |
| KS C IEC 60747-4(2022 확인) |
반도체 소자－개별 소자－제4부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터 | 2022-07-20 | 확인(구판) | 5년도래 확인표준 | |
| KS C IEC 60747-4 |
반도체 소자－개별 소자－제4부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터 | 2017-05-30 | 개정(구판) | 국제표준(ISO, IEC, ITU) 개정내용 반영 | |
| KS C IEC 60747-4(2011 확인) |
반도체 소자－개별 소자－제4부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터 | 2011-12-13 | 확인(구판) | ||
| KS C IEC 60747-4 |
반도체 소자－개별 소자－제4부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터 | 2006-12-11 | 개정(구판) | ||
| KS C IEC 60747-4 |
반도체 소자－개별 소자－제4부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터 | 2001-12-31 | 제정(구판) | ||
확인 및 폐지 고시된 표준에 대해서는 마지막 제정 또는 개정 표준을 구입하시면 됩니다. |
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| No. | 표준번호 | 표준명 | 고시일 | 언어 | 제공형태 | 판매가격 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | KS C IEC 60050-702 | 국제전기기술용어 — 제702부:발진, 신호 및 관련 장치 | 2023-05-12(확인) | 한글 | 42,600원 | ||
인용표준 2종 이상 선택 시 20% 할인 |
총 0종 선택 |
0원 0원 |
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