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분야 | 금속(D) > 분석 | ||||||||
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적용 범위 | 이 규격은 기계화학적으로(chemomechanically) 연마 하거나 에피택셜(epitaxial) 실리콘 웨이퍼 표면의 원자 원소 오염의 원자 표면 밀도의 측정을 위한 TXRF 방법에 대하여 규정한다. 이 방법은 다음에 적용할 수 있다. -원자 번호 16(S)에서 92(U)까지 -오염 원소의 원자 표면 밀도가 1×1010atoms/cm2에 서 1×1014atoms/cm2까지 -VPD(vapour-phase decomposition) 시료 조제법(3.4 를 참조)을 사용하는 경우 오염 원소의 원자 표면 밀 도가 5×108atoms/cm2에서 5×1012atoms/cm2까지 | ||||||||
표준명(영어) | Surface chemical analysis-Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence(TXRF) spectroscopy | ||||||||
국제표준분류(ICS)코드 |
71.040.40 : 화학 분석 |
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국제표준 부합화 |
ISO 14706:2000(IDT) ※ IDT:일치, MOD:수정, NEQ:일치하지 않음 |
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고시기관(고시번호) | (제03-1709 호) | ||||||||
고시사유 | |||||||||
KS심사기준 |
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페이지수 | 19 |
표준번호 | 표준명 | 고시일 | 상태 | 고시사유 | 비고 |
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KS D ISO 14706(2023 확인) | 표면화학분석 - 전반사 X - 선 형광분석기에 의한 실리콘 웨이퍼의 표면원소 불순물 측정 | 2023-06-30 | 확인(표준) | 5년도래 확인표준 | |
KS D ISO 14706(2018 확인) | 표면화학분석 - 전반사 X - 선 형광분석기에 의한 실리콘 웨이퍼의 표면원소 불순물 측정 | 2018-12-04 | 확인(구판) | 5년도래 확인표준 | |
KS D ISO 14706(2013 확인) | 표면화학분석 - 전반사 X - 선 형광분석기에 의한 실리콘 웨이퍼의 표면원소 불순물 측정 | 2013-12-19 | 확인(구판) | ||
KS D ISO 14706(2008 확인) | 표면화학분석 - 전반사 X - 선 형광분석기에 의한 실리콘 웨이퍼의 표면원소 불순물 측정 | 2008-03-21 | 확인(구판) | ||
KS D ISO 14706 | 표면 화학 분석-전반사 X-선 형광(TXRF) 분광기에 의한 실리콘 웨이퍼의 표면 원소 불순물 측정 | 2003-12-29 | 제정(구판) | ||
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No. | 표준번호 | 표준명 | 고시일 | 언어 | 제공형태 | 판매가격 | |
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